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IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT知識(shí)庫(kù)

  • 淬火設(shè)備igbt使用的注意事項(xiàng)

    使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)
    2019年04月23日蘿莉的收納盒
  • 淬火設(shè)備igbt燒壞的原因

    現(xiàn)代高頻淬火設(shè)備一般多采用IGBT模塊,通過(guò)IGBT模塊可以在提高設(shè)備利用率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)節(jié)能省點(diǎn)。IGBT模塊是設(shè)備中的核心部分。下面來(lái)詳細(xì)介紹IGBT模塊的使用以及注意事項(xiàng):IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),
    2019年04月23日喵哼

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