IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
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FF200R12KS4
技術參數
? IcA,Tc=80℃ 200
? Vcesat,MaxV 3.7
? Tonus 0.11
? Toffus 0.55
? Rthj-c,K/W 0.09
? PcW 1400
? 封裝 62mm
? 電路結構 半橋
性能概要
? 高短路能力
? 自我限制短路電流
? 低開關損耗
? 無可比擬的耐用性
? V（CESAT）具有正溫度系數
? 標準結構
優點
? 靈活性
? 最佳的電氣性能
? 最高的可靠性
目標應用
? 電機控制和驅動
? 太陽能系統解決方案
對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品
? 不間斷電源（UPS）
? 商業農業和工程車輛（CAV）
? 感應加熱
? 工業焊接
