IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
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FZ600R12KE3
技術參數
? IcA,Tc=80℃ 600
? Vcesat,MaxV 2.15
? Tonus 0.3
? Toffus 0.65
? Rthj-c,K/W 0.045
? PcW 2800
? 封裝 62mm
? 電路結構 一單元
性能概要
? 低開關損耗
? 無可比擬的耐用性
? V（CESAT）具有正溫度系數
? 低V（CESAT）
? CTI>400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 隔離底板
? 標準封裝
優點
? 靈活性
? 最佳的電氣性能
? 最高的可靠性
目標應用
? 電機控制和驅動
? 太陽能系統解決方案
對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品
? 不間斷電源（UPS）
? 商業農業和工程車輛（CAV）
? 感應加熱
? 工業焊接
