IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
武漢科琪電子有限公司
湖北 武漢市 | 鄔經(jīng)理 | 027-87267976
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FZ600R12KE4
技術(shù)參數(shù)
? IcA,Tc=80℃ 600
? Vcesat,MaxV -
? Tonus -
? Toffus -
? Rthj-c,K/W -
? PcW -
? 封裝 62mm
? 電路結(jié)構(gòu) 半橋
典型應(yīng)用
? 大功率變流器
? 電機(jī)傳動(dòng)
? UPS系統(tǒng)
? 風(fēng)力發(fā)電機(jī)
電氣特性
? 提高工作結(jié)溫Tvj op
? 低開(kāi)關(guān)損耗
? 堅(jiān)固
? VCEsat帶正溫度系數(shù)
? 低VCEsat
機(jī)械特性
? 4KV 交流 1分鐘 絕緣
? 封裝的CTI>400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 絕緣的基板
? 標(biāo)封裝
