為什么是3DNAND?

3DNAND技術與現有的2DNAND（納米制程技術）截然不同2DNAND是平面結構而3DNAND是立體結構3DNAND結構是以垂直半導體通道的方式排列多層環繞式柵極GAA結構形成多電柵級存儲器單元晶體管可以有效的降低堆棧間的干擾3D技術不僅使產品性能顯著提升而且功耗可以大幅降低在提升存儲密度的同時降低成本

以三星的3DNAND產品為例它比1x納米NANDFlash更加可靠功耗更低并且擁有隨機寫入功能3DNANDFlash技術的出現及其帶來的市場格局變化為我國集成電路制造企業進入主流存儲器制造領域提供了有利的契機洪沨認為相對于DRAM后者對于后進者的技術和成本壁壘更高

調研機構ICInsight報告顯示2DNANDFlash產品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降3DNANDFlash產品的出貨量將以200%的年均復合增長率遞增預計2020年達到NANDFlash總量的70%的水平未來3DNANDFlash產品將逐漸取代傳統的2DNANDFlash產品成為NANDFlash的主流產品

洪沨指出從NANDFlash產品的主流廠商態勢分析來看東芝/閃迪的每10萬片單位產出高于三星美光和英特爾但在3DNAND的布局來看三星已經領先于其他廠商目前3DNAND技術占比已達到11%

產品目標和進展

洪沨表示武漢新芯在電荷俘獲型存儲器領域的長期研發和量產的經驗成為其在3DNAND研發上的關鍵優勢武漢新芯將通過完成先導產品的研發迅速達到3DNAND國際主流技術水平并開始切入存儲器國際市場同時會全力推動整體產能擴充在2020年達到月產30萬片進入世界存儲器產品市場第一梯隊

據洪沨透露武漢新芯的產品及工藝模塊的研發推進順利今年5月武漢新芯宣布其3DNAND項目研發取得突破性成果第一個存儲測試芯片通過存儲器功能的電學驗證目前在更高階層的工藝研發及存儲單元性能上都取得了更多重要進展

為什么發展存儲器?

存儲器廣泛應用于大型云存儲運算中心服務器電腦手機及各類電子產品中存儲器處于半導體行業領頭羊地位發展態勢良好2014年～2019年均復合增長率達到8%2014年全球存儲器市場規模約750億美金占據整個半導體市場的21%預計2019年存儲器市場規模超過1140億美金約占半導體市場的30%

洪沨表示武漢新芯預計未來10年主流存儲器具備的工藝穩定成本和價格等優勢仍將繼續占據市場的主流存儲器約占全球芯片生產線產能和固定資產投入的三分之一武漢新芯需要在產業積累期長期堅持和持續不斷的投入

一直以來中國的存儲芯片產業基本空白幾乎100%依賴進口三星美光東芝海力士等企業壟斷的存儲器市場高達800億美元占據全球95%以上的市場份額而中國每年進口的存儲芯片就占55%的全球市場份額

武漢新芯擁有參與全球化競爭的知識產權平臺啟動3DNAND項目具備全球化視野洪沨分享到目前我們已擁有一支經驗豐富的國際化管理團隊包括業界頂尖領軍人才和專家并有大量的專業人才儲備

全球存儲器產業的技術持續更新對單顆芯片容量的密度要求越來越大洪沨認為存儲器規模經濟效應明顯產品種類相對單一價格敏感性高只有保持規模經營緊跟技術進步追求更低的制造成本才有機會在市場競爭中勝出全產業鏈的協同創新模式將為實現戰略突破打下堅實的基礎