華人胡正明獲美國最高技術獎:發明FINFET
據白宮官網報道美國東部時間22日2015年美國最高科技獎獲獎名單公布包括9名國家科學獎獲得者National Medal of Science和8名國家技術和創新獎National Medal of Technology and Innovation獲得者
其中美籍華人科學家胡正明榮獲年度國家技術和創新獎
胡正明教授
胡正明教授是鰭式場效晶體管FinFET的發明者如今三星臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術他1947年出生于北京豆芽菜胡同在中國臺灣長大后來考入加州大學伯克利分校
在華為海思麒麟950的發布會上胡正明教授曾現身VCR據他介紹FinFET的兩個突破一是把晶體做薄后解決了漏電問題二是向上發展晶片內構從水平變成垂直
胡認為FinFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制這項技術現在仍看不到極限
2010年后Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發明得以使摩爾定律在今天延續傳奇
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