隨著互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)的迅速增長

數(shù)據(jù)存儲在整個產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)著極為重要的地位數(shù)據(jù)存儲主要依賴于存儲芯片而存儲芯片主要分為DRAM與NAND Flash兩種簡單來說就是內(nèi)存和閃存兩種中國每年從國外進(jìn)口芯片的規(guī)模非常大僅去年我國進(jìn)口芯片數(shù)額就超過了3000億美元而在其中存儲芯片的占比就超過三分之一這也是我國存儲芯片的閃存和內(nèi)存芯片國產(chǎn)率基本為零的無奈選擇三星海力士以及美光占據(jù)全球內(nèi)存芯片約97%的份額而閃存芯片市場則被三星海力士美光英特爾以及東芝瓜分

明年我國存儲芯片進(jìn)一步量產(chǎn)其全球占有份額將會達(dá)到5%

總體上看存儲芯片領(lǐng)域美日韓三國幾乎處于壟斷地位而明年這一局面將會得到改變因為全球存儲芯片市場5%的份額將被中國存儲芯片占據(jù)這將是中國國產(chǎn)存儲芯片從零到量產(chǎn)的突破而這一切則要歸功于長江儲存為實現(xiàn)我國芯片市場零的突破從2016年起紫光集團(tuán)成立了專門攻堅存儲芯片技術(shù)的廠商長江存儲紫光集團(tuán)是清華成立的首家科技企業(yè)經(jīng)過收購銳迪科和展訊兩家企業(yè)加上與全球最大硬盤供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)公司的成功合資讓紫光逐漸成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的巨頭

長江存儲一開始就將閃存作為主要研發(fā)對象2016年紫光集團(tuán)投入約10億美元組建了一千多人的大規(guī)模研發(fā)團(tuán)隊在2017年11月便推出我國首款32層堆棧3D 閃存芯片就在今年5月長江存儲又研發(fā)出64層3D 閃存芯片與三星研發(fā)的96層堆棧3D 閃存的差距僅剩一代雖然與頂尖閃存相比中國存儲芯片還存在很多不足但在同代64層3D 閃存芯片中長江存儲研發(fā)閃存芯片有著更高的存儲密度和存儲性能而這離不開其自主研發(fā)的新包裝架構(gòu)

而在全球閃存的I/O接口標(biāo)準(zhǔn)上其主要分為海力士的ONFi和三星推出的Toggle DDR兩類兩者I/O接口速度達(dá)到了每秒1200兆而全球絕大多數(shù)廠商的I/O接口速度都低于每秒1000兆中國長江存儲則依靠自研Xtacking構(gòu)架讓存儲芯片的I/O接口速度達(dá)到了每秒3000兆幾乎相當(dāng)于前者的3倍今年9月長江存儲表示已開始生產(chǎn)由Xtacking架構(gòu)組建的64層3D閃存在2020年底有望達(dá)成月產(chǎn)6萬片的目標(biāo)進(jìn)而占據(jù)全球閃存產(chǎn)能的5%該款芯片在價格與技術(shù)上相比同代頗具優(yōu)勢在國產(chǎn)芯片量產(chǎn)的趨勢下這將為我國每年節(jié)省上千億元的進(jìn)口費用

長江存儲還表示將在2020年跳過96層堆棧直接對128層進(jìn)行研發(fā)力求與全球頂尖閃存同步發(fā)展在內(nèi)存的研發(fā)上我國合肥長鑫公司也是儲存芯片領(lǐng)域的佼佼者目前長鑫已積累下了1萬6千項專利其研發(fā)的10nm級8 Gb 內(nèi)存與目前三星最先進(jìn)的10nm級12GB 內(nèi)存差距并不大也是今年9月總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片項目正式啟動計劃在2020年底讓我國內(nèi)存產(chǎn)能占據(jù)全球3%5%與3%的產(chǎn)能占比可能并不多但面對壟斷我國僅幾年時間就讓中國芯抬起了頭未來我國定能成為全球存儲芯片陣營領(lǐng)先者