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半導(dǎo)體領(lǐng)域紛傳進(jìn)展 摩爾定律將繼續(xù)發(fā)威

半導(dǎo)體領(lǐng)域紛傳進(jìn)展 摩爾定律將繼續(xù)發(fā)威

櫻花祭 發(fā)表于2015-09-23
直到今天我才知道、你一直都是這樣。

日前英特爾Intel對(duì)外宣布10納米芯片將順延至2017年下半推出讓外界一度認(rèn)為摩爾定律Moore’sLaw陳述的微縮發(fā)展已出現(xiàn)困難不過(guò)從美西半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展SEMICONWest上許多廠商宣布新消息來(lái)看外界若斷定摩爾定律已死的說(shuō)法仍言過(guò)其實(shí)

據(jù)PCMag.com報(bào)導(dǎo)外界原先預(yù)期英特爾10納米產(chǎn)品將在2016年底或2017年初推出不過(guò)執(zhí)行長(zhǎng)BrianKrzanich日前宣布將順延至下半其另一款14納米產(chǎn)品線Skylake處理器則預(yù)計(jì)2015年第3季開始出貨

Krzanich也指出采Skylake架構(gòu)的14納米KabyLake芯片也會(huì)在2016年下半推出第一代10納米Cannonlake產(chǎn)品則預(yù)計(jì)2017年下半會(huì)問(wèn)世

過(guò)去英特爾從22納米推進(jìn)至14納米也傳出延誤Krzanich認(rèn)為每邁進(jìn)新節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)延誤主要是與微影技術(shù)及多重曝光步驟有關(guān)他并指出預(yù)期10納米芯片也還不會(huì)采用極紫外光EUV

整體而言每邁進(jìn)至新制程節(jié)點(diǎn)約需2.5年在從10納米進(jìn)展7納米時(shí)該公司判斷時(shí)程也會(huì)繼續(xù)觀察EUV是否成熟材料科學(xué)進(jìn)展與產(chǎn)品復(fù)雜度等因素不過(guò)對(duì)于負(fù)責(zé)替高通Qualcomm聯(lián)發(fā)科與NVIDIA等生產(chǎn)芯片的晶圓廠而言目前芯片微縮進(jìn)展似乎反而在加速中

以臺(tái)積電為例該公司宣布2017年第1季推出10納米仍在進(jìn)度內(nèi)2015年第2季16納米鰭式場(chǎng)效電晶體FinFET已量產(chǎn)同年7月開始出貨給客戶臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音表示10納米制程發(fā)展尚在軌道上預(yù)計(jì)2017年初可望出貨

劉德音并指出相較16納米制程10納米制程速度快上15%功耗減少35%并擁有2倍閘極密度如果上述一切按照規(guī)劃進(jìn)行外界預(yù)期以臺(tái)積電10納米制程生產(chǎn)的產(chǎn)品可望比英特爾10納米生產(chǎn)的產(chǎn)品提早1季出現(xiàn)

另外三星電子SamsungElectronics日前也表示2016年底前將開始量產(chǎn)10納米芯片該公司并在2015年初生產(chǎn)14納米FinFET產(chǎn)品Exynos7Octa供其GalaxyS6使用三星也授權(quán)GlobalFoundries使用其14納米技術(shù)后者客戶包括超微AMD

GlobalFoundries則計(jì)劃將推出22納米全空乏絕緣上覆矽FullyDepletedSiliconOnInsulatorFD-SOI技術(shù)GlobalFoundries指出新制程技術(shù)除可提高效能也適合主流移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)IoT射頻RF與網(wǎng)路市場(chǎng)而且相較14納米FinFET產(chǎn)品其制程可減少近5成微影層數(shù)進(jìn)而降低成本

在美西半導(dǎo)體設(shè)備暨材料展上業(yè)者也普遍取得共識(shí)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展下一步將是尋找新的替代材料例如矽鍺SiGe與砷化銦鎵InGaAs

在微影技術(shù)上芯片設(shè)備制造商ASML表示雖然目標(biāo)鎖定讓EUV使用在7納米上但最多只能使用在5~10層關(guān)鍵層其余仍需交由193納米微影完成該公司也證實(shí)英特爾采購(gòu)6套EUV系統(tǒng)預(yù)計(jì)2套2015年可望交貨

另外由于目前DRAM微縮進(jìn)展已放緩未來(lái)若要在成本或密度上取得進(jìn)展則需仰賴額外制程容量大尺寸晶圓3D芯片疊層或磁性存儲(chǔ)器MRAM

至于NANDFlash雖然微縮進(jìn)展也有難度但新的3DNAND已是新興焦點(diǎn)其中三星已開始量產(chǎn)3DNAND英特爾及美光科技Micron與SK海力士SKHynix也預(yù)計(jì)2015年將量產(chǎn)3DNAND隔年?yáng)|芝Toshiba與新帝SanDisk將跟進(jìn)

因此設(shè)備廠一致認(rèn)為3DNAND進(jìn)展確實(shí)較外界預(yù)期快

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