半導體材料瓶頸可望突破!中國臺灣科技部昨3日宣布中國臺灣日本沙烏地阿拉伯等跨國團隊已研究出單層二硫化鉬P-N接面可望取代矽晶片成為新世代半導體核心元件廣泛應用在穿戴式裝置及手機中

這是全球第1個發表新世代半導體材料基礎研究成果不但將刊登在最新一期國際期刊《SCIENCE》中交大研究團隊透露這項結果可望吸引臺積電更積極合作研究以早日搶占全球市場商機

在科技部大力支持尖端晶體材料開發及制作計畫科技預算下半導體材料瓶頸有了重大突破中國臺灣研究團隊計畫主持人交大電子物理系教授張文豪指出英特爾及三星均積極投入單層元件材料研究臺積電也積極與學界接洽合作未來誰能搶先開發單層元件材料就能在全球市場占有一席之地

張文豪說單層二硫化鉬是全球科學家認為新世代半導體頗有潛力的材料這次研究團隊發展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面可望解決半導體元件制備關鍵問題

張文豪說未來可廣泛應用于極度微小化的電子元件尤其單層二硫化鉬具有極輕薄透明特性有潛力應用在未來低耗能軟性電子與穿戴式電子元件或手機應用中

張文豪說臺籍科學家李連忠過去為中研院研究員被沙國國王科技大學延攬成為沙國科學家他籌組中國臺灣沙國日本等跨國合作團隊進行大型合作計畫中國臺灣研究團隊除張文豪外還有交大材料系教授韋光華中研院應科中心研究員朱治偉等人

科技部指出二硫化鉬是繼石墨烯后備受國際科學家關注層狀材料單層二硫化鉬具有良好發光效率極佳電子遷移率可快速反應與高開關比電晶體較穩定可用于未來新型低耗能邏輯電路極有可能取代目前矽晶做下世代主要核心元件

科技部指出國際半導體大廠如Intel臺積電及三星等最小元件技術約落在7～10奈米間而這項研究成果為二硫化鉬及相關無機二維材料電子學研究及應用將有助二硫化鉬等材料應用在2奈米半導體制程技術中