半導體進入微縮時代 成本依舊是決定性關(guān)鍵
目前半導體市場上出現(xiàn)FET與3D-IC等技術(shù)不勝枚舉加上業(yè)界不斷研究取得成果包括晶圓廠與封測廠等都開始積極鎖定可能的主流技術(shù)以便提高市場競爭優(yōu)勢業(yè)界也認為最終主流技術(shù)為何其能否降低成本依舊是決定性關(guān)鍵
據(jù)報導微縮成本不斷增加為全球供應鏈注入一股不確定性資源不虞匱乏的大廠預期會持續(xù)進展至少到7納米
之后是否往以更細微制程邁進則須視EUV多重電子束Multi-e-beam等微影技術(shù)與定向自組裝技術(shù)Directedself-assembly量子效應新材料與新電晶體架構(gòu)發(fā)展而定
目前傾向持續(xù)推進微縮市場的廠商認為應不會有10納米出現(xiàn)而且由于市場大多擔心芯片廠預備新節(jié)點耗時過久因此略過例如20納米等半節(jié)點該情形甚至也會出現(xiàn)在10納米
Arteris執(zhí)行長CharlieJanac表示10納米進展過快導致廠商擔心無法回收成本而且市場對5納米也持觀望態(tài)度因為其投資成本將相當可觀因此7納米會維持一段時間包括GlobalFoundries副總SubramaniKengeri也認為下一世代為7納米并會持續(xù)一段時間
為服務器GPU手機與現(xiàn)場可程式化閘陣列FPGA設計芯片的廠商過往都會積極推廣最先進制程但其余芯片廠則不再跟隨反而偏好采用包括平面式完全空乏型絕緣層覆矽PlanarFD-SOI2.5D與扇出型fan-out及3D整合等技術(shù)
eSilicon副總MikeGianfagna指出屆時技術(shù)將出現(xiàn)重疊雖然2.5D出現(xiàn)讓技術(shù)選項增多但其良率仍是不確定性因素
目前讓業(yè)者愿意投入研發(fā)的新動機也未成形手機雖會繼續(xù)帶動系統(tǒng)單芯片SoC市場成長但其成長率已放緩一旦市場成熟將讓產(chǎn)品出現(xiàn)定價壓力益華電腦Cadence行銷主管指出成本還是最主要考量而且業(yè)界已開始思考從降低電子產(chǎn)品成本著手特別是降低芯片成本
傳統(tǒng)上每一代新制程問世后市場都必須能出現(xiàn)大量采用才能讓晶圓廠繼續(xù)投資新制程但28納米后由于各家制程皆不同代表工具IP與設備都需客制化一旦進入16/14納米后不確定性因素還包括EUV與電子束微影是否問世等因此更讓廠商不愿投資在半制程上
另一方面隨著技術(shù)選項增多廠商也不再一味朝新制程邁進例如三星電子SamsungElectronics意法半導體STMicroelectronics法國電子資訊技術(shù)實驗室CEA-Leti與GlobalFoundries都支持FD-SOI技術(shù)
評論認為FD-SOI在16/14納米以后是否仍具競爭力仍有疑問因為屆時微影技術(shù)為何是關(guān)鍵至于GlobalFoundries則傾向10納米平面FD-SOI希望省略雙重曝光及FinFET需要
但eSilicon則持保守態(tài)度指出FD-SOI出貨量多寡與藍圖FD-SOI尚未明朗即使市場有許多選項是好事但目前FD-SOI并未取代FinFET不過市場也有其他避險策略例如采用2.5D與扇出型fan-out其中臺積電推出InFo已穩(wěn)定獲得采用
另外海思Hisilicon日月光與邁威爾Marvell已開發(fā)商用實作2.5D芯片華為IBM與超微AMD則負責銷售因此Arteris認為市場最終將走向3D讓封裝廠地位更為重要
即便如此業(yè)者認為一旦問題獲得解決后成本會開始下降GlobalFoundries便認為2.5D可應用市場有3種包括將大晶粒細分為小部位來提高良率設法將封裝內(nèi)芯片或模組功能最大化以及將芯片細分成為獨立部位并由中介層連接目前邁威爾日月光與Tezzaron則采用第二種技術(shù)
評論指出不管是環(huán)繞式閘極FET納米線場效電晶體2.5Dfull3D-IC積層型三維積體電路Monolithic3D-IC或扇出等不同技術(shù)主要晶圓廠都已預備好準備采用包括三星與GlobalFoundries采用FD-SOI封測廠則瞄準最先進封測技術(shù)
隨著廠商不斷研究精進屆時市場自然會出現(xiàn)新一代技術(shù)業(yè)者認為何者能降低成本是決定能否勝出的關(guān)鍵因素
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