多晶硅的冶金法是怎樣？
冶金法制備太陽能級多晶硅（Solar Grade Silicon簡稱SOGSi）是指以冶金級硅（MetallurgicalGrade Silicon簡稱MG-Si）為原料（98.5%~99.5%）經(jīng)過冶金提純制得純度在99.9999%以上用于生產(chǎn)太陽能電池的多晶硅原料的方法冶金法在為太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)服務(wù)上存在成本低能耗低產(chǎn)出率高投資門檻低等優(yōu)勢通過發(fā)展新一代載能束高真空冶金技術(shù)可使純度達到6N以上并在若干年內(nèi)逐步發(fā)展成為太陽能級多晶硅的主流制備技術(shù)
不同的冶金級硅含有的雜質(zhì)元素不同但主要雜質(zhì)基本相同主要包括AlFeTiCPB等雜質(zhì)元素而且針對不同的雜質(zhì)也研究了一些有效的去除方法自從1975年Wacker公司用澆注法制備多晶硅材料以來冶金法制備太陽能級多晶硅被認為是一種有效降低生產(chǎn)成本專門定位于太陽多級多晶硅的生產(chǎn)方法可以滿足光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展需求針對不同的雜質(zhì)性質(zhì)制備太陽能級多晶硅的技術(shù)路線
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