等離子蝕刻機(jī)的原理介紹
原理
感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch簡(jiǎn)稱(chēng)ICPE）是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果
它的基本原理是在真空低氣壓下ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線(xiàn)圈以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電產(chǎn)生高密度的等離子體在下電極的RF 射頻作用下這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)以氣體形式脫離基片從真空管路被抽走
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