IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
高頻淬火設備核心IGBT模塊使用注意
高頻淬火設備中的IGBT模塊是設備中的核心部分下面詳細介紹IGBT模塊的使用以及注意事項IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關使用中當IGBT模塊集電極電流增大時所產生的額定損耗亦變大同時開關損耗增大使原件發熱加劇因此選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流特別是用作高頻開關時由于開關損耗增大發熱加劇選用時應該降等使用由于IGBT模塊為MOSFET結構IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離由于此氧化膜很薄其擊穿電壓一般達到2030V因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一因此使用中要注意以下幾點
在使用模塊的時候盡量避免用手觸摸驅動端子部分當必須要觸摸模塊端子時要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓為此通常采用雙絞線來傳送驅動信號以減少寄生電感在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓此外在柵極發射極間開路時若在集電極與發射極間加上電壓則隨著集電極電位的變化由于集電極有漏電流流過柵極電位升高集電極則有電流流過這時如果集電極與發射極間存在高電壓則有可能使IGBT發熱及至損壞
當柵極回路不正常或柵極回路損壞時柵極處于開路狀態若在主回路上加上電壓則IGBT就會損壞為防止此類故障應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻
在安裝或更換高頻淬火設備IGBT模塊時應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度為了減少接觸熱阻最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂一般散熱片底部安裝有散熱風扇當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱而發生故障因此對散熱風扇應定期進行檢查一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作
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