IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)器介紹
只更換驅(qū)動(dòng)IC即可使硅IGBT的損耗降低約30％英飛凌科技公司成功開(kāi)發(fā)出了這一技術(shù)硅IGBT投產(chǎn)已有20多年的歷史性能提高空間日漸縮小因此僅靠IGBT的更新?lián)Q代已經(jīng)無(wú)法像以前那樣大幅降低損耗而只更換驅(qū)動(dòng)IC就可將損耗降低30％這對(duì)IGBT用戶(hù)而言無(wú)疑相當(dāng)有吸引力
英飛凌在全球最大規(guī)模電力電子展PCIM Europe 2014上發(fā)布了采用這一技術(shù)的IGBT驅(qū)動(dòng)IC1EDS-SRC EiceDRIVER Safe該展會(huì)最近幾年每年都于5月在德國(guó)紐倫堡舉行由于是全球最大的功率元件廠(chǎng)商英飛凌的主場(chǎng)因此該公司每年都會(huì)發(fā)布很多新產(chǎn)品該公司此次大力宣傳的就是這款I(lǐng)C該產(chǎn)品主要面向工業(yè)設(shè)備用途配備可實(shí)時(shí)自動(dòng)調(diào)整開(kāi)關(guān)速度以降低損耗的壓擺率控制（Slew Rate ControlSRC功能
雖然不同使用條件下的具體效果有所不同不過(guò)利用該功能可將由關(guān)閉狀態(tài)切換為導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通損耗大幅降低約30％據(jù)英飛凌估算由于損耗降低集電極電流可增大10～15％左右
自動(dòng)調(diào)整開(kāi)關(guān)速度
SRC是一項(xiàng)自動(dòng)調(diào)整集電極-發(fā)射極間電壓導(dǎo)通時(shí)的速度（dV/dt）的功能速度共分11檔數(shù)字越大則速度越快比如低負(fù)荷情況下開(kāi)關(guān)速度過(guò)快有可能導(dǎo)致電磁噪聲增大時(shí)驅(qū)動(dòng)IC一側(cè)會(huì)做出判斷降低速度以降低電磁噪聲
反之在高負(fù)荷情況下開(kāi)關(guān)速度過(guò)慢導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增大時(shí)驅(qū)動(dòng)IC會(huì)在電磁噪聲不超過(guò)規(guī)定值的范圍內(nèi)提高速度新產(chǎn)品就是通過(guò)這樣的方法調(diào)整開(kāi)關(guān)速度從而降低損耗的
英飛凌指出因SRC功能使開(kāi)關(guān)動(dòng)作得以改善可以減小或者省去dv/dt filter濾波器這還有利于削減成本新產(chǎn)品還有一個(gè)特點(diǎn)就是具有支持三電平逆變器的短路保護(hù)功能該功能符合短路絕緣標(biāo)準(zhǔn)VDE 0884-10和UL1577
目前這款驅(qū)動(dòng)IC正在樣品供貨計(jì)劃2014年9月量產(chǎn)
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