如今電子產(chǎn)品越來(lái)越小越來(lái)越薄就拿手機(jī)來(lái)說(shuō)從90年代初的大哥大到如今的iphone4這中間進(jìn)步的不只是設(shè)計(jì)者更多的是手機(jī)里的電子元件從最初的電池一樣大的插件電容到現(xiàn)在小的看不到的貼片電容

如今的貼片電容具有哪些特性和參數(shù)呢?

1 容量與差錯(cuò)實(shí)踐電容量和標(biāo)稱(chēng)電容量答應(yīng)的最大差錯(cuò)規(guī)模通常運(yùn)用的容量差錯(cuò)有J級(jí)±5%

K級(jí)±10%M級(jí)±20%

精細(xì)電容器的答應(yīng)差錯(cuò)較小而電解電容器的差錯(cuò)較大它們選用不一樣的差錯(cuò)等級(jí)

常用的電容器其精度等級(jí)和電阻器的標(biāo)明辦法一樣用字母標(biāo)明D級(jí)±0.5%;F級(jí)±1%;

G級(jí)±2%;J級(jí)±5%;K級(jí)±10%;M級(jí)±20%

2 額外作業(yè)電壓電容器在電路中可以長(zhǎng)時(shí)間安穩(wěn)牢靠作業(yè)所接受的最大直流電壓又稱(chēng)耐壓對(duì)

于布局介質(zhì)容量一樣的器材耐壓越高體積越大

3 溫度系數(shù)在必定溫度規(guī)模內(nèi)溫度每改變1 電容量的相對(duì)改變值溫度系數(shù)越小越好

4 絕緣電阻用來(lái)標(biāo)明漏電巨細(xì)的通常小容量的電容絕緣電阻很大在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆

電解電容的絕緣電阻通常較小相對(duì)而言絕緣電阻越大越好漏電也小

5 損耗在電場(chǎng)的效果下電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而耗費(fèi)的能量這些損耗首要來(lái)自介質(zhì)損耗和金

屬損耗通常用損耗角正切值來(lái)標(biāo)明

6 頻率特性電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而改變的性質(zhì)在高頻條件下作業(yè)的電容器因?yàn)榻殡姵?shù)

在高頻時(shí)比低頻時(shí)小電容量也相應(yīng)減小損耗也隨頻率的升高而添加別的在高頻作業(yè)時(shí)電

容器的散布參數(shù)如極片電阻引線和極片間的電阻極片的自身電感引線電感等城市影響電

容器的功能所有這些使得電容器的運(yùn)用頻率受到限制

不一樣種類(lèi)的電容器最高運(yùn)用頻率不一樣小型云母電容器在250MHZ以?xún)?nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只要8MHZ

測(cè)評(píng)貼片電容功能從三個(gè)方面進(jìn)行首先是貼片電容的四個(gè)慣例電功能即容量Cap. 損耗DF絕緣電阻IR和耐電壓DBV通常地X7R產(chǎn)物的損耗值DF<=2.5%越小越好IR*Cap>500歐*法BDV>2.5Ur.其次是貼片電容的加快壽數(shù)功能在125deg.c環(huán)境溫度和2.5Ur直流負(fù)載條件下芯片應(yīng)本領(lǐng)100小時(shí)不擊穿質(zhì)量好的可耐1000小時(shí)不擊穿再次就是產(chǎn)物的耐熱沖擊功能將電容浸入300deg.c錫爐10秒多做幾粒顯微鏡下調(diào)查能否有外表裂紋然后可測(cè)驗(yàn)容量損耗并與熱沖擊前比照分辨芯片能否內(nèi)部裂紋 貼片電容在電路上出現(xiàn)問(wèn)題有可能是貼片電容自身質(zhì)量不良亦有可能是設(shè)計(jì)時(shí)選擇標(biāo)準(zhǔn)欠佳或是在外表貼裝機(jī)械力熱沖擊等對(duì)貼片電容形成必定的損傷等要素形成