IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
中國南車14億投建大功率IGBT基地
<p> 中國南車今日公告董事會(huì)審議同意控股子公司株洲所在株洲建設(shè)大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地正式啟動(dòng)我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目本項(xiàng)目總投資約14億元</p><p> IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件為逆變器最核心價(jià)格最高的零部件之一而逆變器又是把直流電轉(zhuǎn)換為交流電的核心部件在太陽能電池風(fēng)力發(fā)電新能源汽車等方面有廣泛應(yīng)用</p><p> （⊙見習(xí)記者 覃秘 ○）</p>
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